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由美国ge公司和rca公司分别研制成功。从1986年起igbt开始得到正式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年igbt的技术不断更新1988年出现的是第一代称为平面穿透型;199o年出现了第二代为改进的平面穿透型;1992年为第三代即沟槽型;1997年出现了第四代称为非穿透型;2oo1年出现了电场截止型;2oo3年出现了沟槽型电场截止型……

    半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新是有其原因的那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场自然能够引得无数天下英雄竞折腰。

    然而要掌握igbt的制造技术也并非易事。igbt是一种工作原理非常复杂的器件几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量为此igbt的制造工艺规则从5微米下降到了o5微米而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。

    所有这些生产工艺对于当年的中国来说都是十分困难的而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此周林磊并不对秦海寄予太多的希望在他看来秦海能够解决级电容、导线圈、永磁材料等障碍就已经是十分难能可贵了再把igbt这样的困难强加在秦海身上未免有些太强人所难了。

    听到周林磊的话秦海笑着问道:“周工航母弹射器上使用的igbt器件可不是寻常货色国外能卖给咱们吗?”

    “事在人为吧。”周林磊其实也没有太多的把握只能这样回答道“实在买不到大功率的igbt有一些功率相对低一些器件通过串联的方法组合起来也勉强能够达到要求了。”

    “可是这样一来我们还是受制于人啊周工真的不想自己掌握igbt的核心技术?”秦海继续问道。

    周林磊道:“怎么可能不想?可是半导体加工工艺上的困难有多大小秦你了解吗?咱们国家的半导体技术和国外的差异可不是一星半点而且这方面的技术也不是随便冲一下就能够冲上去的。”

    “周工说得对。”秦海道“不过我们可以试一试嘛igbt这么大的市场咱们完全拱手送给国外太可惜了。日后咱们要搞自己的输变电技术、高铁技术如果igbt这东西完全掌握在别人手上人家随便卡一下咱们的脖子咱们就难受了。”

    “你打算怎么做?”周林磊认真起来了他听出秦海并不是随便说说而已而是有了一些自己的想法。

    秦海道:“我打算双管齐下一方面动员国内的半导体研究机构和厂家共同攻关另一方面则是引进技术缩短我们与国外的差距。用三到五年的时间初步形成我们自主的igbt产业先满足自己的需要然后再考虑追赶世界先进水平。”

    “引进技术这条路子恐怕走不通。”周林磊断言道“其实科工委这边早就有这个想法了也找国外几家在igbt技术上领先的企业谈过希望能够引进一些技术。可是人家根本就不愿意和我们合作涉及到技术转让的问题一概免谈。”

    “我知道这一点。”秦海道“国外厂商看准了咱们不掌握igbt的技术希望拿这个来向我们卖高价当然不会愿意转让技术。不过如果我们直接把拥有这类技术的企业买下来呢?那么转让不转让技术岂不就是咱们说了算了?”

    “买下来?”周林磊咂舌了“小秦你这也太异想天开了吧?几家国际顶尖的igbt生产厂商都是半导体领域的巨头别说他们不会出售就算要出售以咱们国家的财力也买不起吧?”

    “哈哈周工你还真说对了。不过这些顶尖的厂商咱们买不起二线厂商咱们是不是可以试试呢?”秦海笑呵呵地问道。

    “怎么小秦你有目标了吗?”周林磊听出了秦海话中有话忍不住问道。

    秦海郑重地点了点头说道:“没错我已经盯上了一家英国的老牌半导体企业尼斯公司。”(未完待续!

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